Изучено влияние примесных ионов таллия, марганца и нитратных анионов на накопление радиационных дефектов. Показано, что ионы марганца в кристаллическом метафосфате являются ловушками для электронов, примесные ионы таллия и марганца являются центрами рекомбинации. В области температуры 100 К механизм рекомбинационного процесса дырочный.