Разработан метод формирования металлических кластеров на подложках полупроводниковых соединений AB. Создана технологическая установка импульсного вакуумного отжига образцов. Кластеры элементов III группы с высокой поверхностной плотностью и размером 20-200 нм могут быть получены при температуре отжига выше конгруэнтной. Определены оптимальные режимы получения кластеров In на подложке InAs и кластеров Ga на подложке GaAs.