Разработаны электрохимические методы формирования пленок CuInSe[2] и Cu(Ga)Se[2]. Исследован механизм образования тройного соединения. Получены тонкие слои металлических сплавов Cu-In. Осуществлена селенизация полупроводниковых пленок Cu-In для создания стехиометрического состава CuInSe[2] и улучшения оптических характеристик. Исследована морфология поверхности модифицированных селеном пленок CuInSe[2].