Объект исследования: периодические структуры из тонких чередующихся в одном направлении слоев разнородных полупроводниковых материалов. Разработана установка для роста сверхрешеток системы а:Si/a:C/Si. Определены средний размер кристаллитов и микронапряжения в наноразмерных пленках металлооксидных полупроводников. Освоены методы нанесения контактов на подложки и фоточувствительные слои.