Определено значение реализуемого удельного теплового потока. Изучена динамика нарастания уровня поврежденности поверхности образцов с увеличением количества электронных импульсов. Отмечено постепенное развитие поврежденности материала как в условиях высокой, так и невысокой плотности энергии облучения.
