Разработка комплексного метода синтеза полупроводниковых соединений на основе кремния и наноструктур (и др.) с использованием непрерывных электронных и ионных пучков для систем оптоэлектроники, микроэлектроники и спинтроники
Разработан метод синтеза наноструктур с нанокластерами полупроводников на основе кремния с использованием электронных и ионных пучков. Проведена модернизация экспериментального оборудования. Выбран режим формирования нанопор в полупроводниковых соединениях на основе Si и SiO[2] с использованием электронных и ионных пучков. Получены нанопоры размером 5-40 нм. Выведена зависимость диаметра нанопор от времени травления.
