Решена обратная задача потенциала Кеплера с постоянной плотностью для исследования оптических и фотоэлектрических свойств полупроводников. Проведен анализ спектров фотопроводимости и фотолюминесценции сплавов альфа-Si[1-x]C[x]:H. Показана возможность создания высокоэффективных приёмников УФ-области спектра. Определена природа структурных дефектов в пленках альфа-Si[1-x]C[x]:H.