Наука Казахстана
Документация
Анонсы
Мировая наука
Издания НЦГНТЭ
Международные гранты
Инфографика
Публикации в СМИ
Наука Казахстана
Документация
Анонсы
Мировая наука
Издания НЦГНТЭ
Международные гранты
Инфографика
Публикации в СМИ
Вход
Регистрация
FAQ
Контакты
RU
KZ
Национальные ресурсы НТИ
«Государственные услуги, оказываемые АО «НЦГНТЭ»:
практические рекомендации для научного сообщества»
подробнее
Касым-Жомарт Токаев:
«Казахстан постепенно превращается
в региональный академический и научно-исследовательский хаб»
подробнее
Национальные ресурсы
/
Отчеты о НИР
Разработка новых материалов на основе эпитаксиальных пленок соединений AB на кремниевых подложках для высокоэффективных преобразователей солнечной и тепловой энергии в электричество
Руководитель проекта: С.Ж.Токмолдин
Исполнители проекта: В.В.Клименов
Организация: Физ.-техн. ин-т
Инвентарный номер: 0208РК01216
Регистрационный номер: 0107РК00574
Ключевые слова: Тонкие пленки, Фотопреобразователи, Солнечные элементы, Полупроводники, Наноструктурные материалы,
Ссылка
Отработан метод молекулярной эпитаксии многослойных полупроводниковых гетероструктур с толщиной слоев 1 нм - 10 мкм на основе соединений AB.
Баннеры