Наука Казахстана
Документация
Анонсы
Мировая наука
Издания НЦГНТЭ
Международные гранты
Инфографика
Публикации в СМИ
Наука Казахстана
Документация
Анонсы
Мировая наука
Издания НЦГНТЭ
Международные гранты
Инфографика
Публикации в СМИ
Вход
Регистрация
FAQ
Контакты
RU
KZ
Национальные ресурсы НТИ
«Государственные услуги, оказываемые АО «НЦГНТЭ»:
практические рекомендации для научного сообщества»
подробнее
Касым-Жомарт Токаев:
«Казахстан постепенно превращается
в региональный академический и научно-исследовательский хаб»
подробнее
Национальные ресурсы
/
Отчеты о НИР
Синтез тонких (130 нм) полупроводниковых пленок карбида кремния на кремнии методом ионной имплантации для микроэлектроники
Руководитель проекта: К.Х.Нусупов
Исполнители проекта: Н.Б.Бейсенханов
Организация: Физ.-техн. ин-т
Инвентарный номер: 0208РК01167
Регистрационный номер: 0107РК00576
Ключевые слова: Кремний, Полупроводники, Карбид кремния, Тонкие пленки,
Ссылка
Многократной имплантацией в кремний ионов углерода синтезированы слои карбида кремния. Исследованы их структура и топография поверхности после обработки в водородной плазме и высокотемпературного отжига.
Баннеры