Исследована структура колебаний генератора хаоса в режиме малой инерционной нелинейности. Построена структурно-стохастическая модель турбулентности. Выявлены масштабно-инвариантные закономерности изменения концентрации носителей заряда в полупроводниках в зависимости от температуры и времени вблизи их критических значений.
