Создана каскадно-вероятностная модель концентрации вакансионных скоплений на динамической стадии облучения. Вокруг каждой вакансии существует зона спонтанной рекомбинации. В результате миграции близко расположенных вакансий и междоузельных атомов происходит их аннигиляция. Выявлены закономерности концентрации радиационных дефектов при ионном облучении. Изучены структурно-фазовые превращения при воздействии облучения, температуры и нагрузки в оксидных и полимерных диэлектриках.