Многократной имплантацией в кремний ионов углерода синтезированы слои карбида кремния, исследованы их структура, состав и топография поверхности после высокотемпературного отжига, а также формирование Si-C-связей в имплантированном слое, влияние нанокластеров на процессы кристаллизации в слоях.