Создание новых электродных материалов, сенсоров, фотопреобразователей
Full Name of the work head: Дергачева М.Б.
Исполнители проекта: В.Н.Стацюк
: Ин-т орган.катализа и электрохим.им.Д.В.Сокольского
Inventory number: 0297РК00040
Registration number: 0194РК00210
Keywords: полупроводниковые, материалы, освещение, вольт-амперные, характеристики,
Объект исследования: кремниевые фотоэлементы, монокристаллический кремний, расплавы галлий-индий-натрий, галлий-цинк-натрий, галлий-олово-натрий, теллурид кадмия. Цель: разработка методики измерения вольт-амперных характеристик полупроводниковых материалов под действием освещения, выбор оптимальных источников освещения. Установлено влияние источника освещения на кпд фотопреобразования, максимальный кпд для монокристаллического кремния 6,2%. Определены температуры ликвидуса для расплавов тройных галлиевых систем с индием, цинком, оловом и натрием. Рассчитаны парциальные термодинамические характеристики натрия, рН приэлектродного слоя при восстановлении индия и галлия. Разработана методика определения индия в галлии.
