Объект исследования: кремниевые фотоэлементы, монокристаллический кремний, расплавы галлий-индий-натрий, галлий-цинк-натрий, галлий-олово-натрий, теллурид кадмия. Цель: разработка методики измерения вольт-амперных характеристик полупроводниковых материалов под действием освещения, выбор оптимальных источников освещения. Установлено влияние источника освещения на кпд фотопреобразования, максимальный кпд для монокристаллического кремния 6,2%. Определены температуры ликвидуса для расплавов тройных галлиевых систем с индием, цинком, оловом и натрием. Рассчитаны парциальные термодинамические характеристики натрия, рН приэлектродного слоя при восстановлении индия и галлия. Разработана методика определения индия в галлии.