Синтез тонких (130 нм) полупроводниковых пленок карбида кремния на кремнии методом ионной имплантации для микроэлектроники
Жетекшінің аты-жөні, тегі: К.Х.Нусупов
Work head: Н.Б.Бейсенханов
: Физ.-техн. ин-т
Инвентарлық номер: 0207РК01367
Тіркелген номер: 0107РК00576
негізгі сөздер: Кремний, Полупроводники,
Многократной имплантацией в кремний ионов углерода с энергией 40, 20, 10, 5 и 3 кэВ синтезированы слои карбида кремния, исследованы их структура, состав, топография поверхности после отжига, формирование Si-C связей в интервале 200-1400 {o}C, влияние нанокластеров на процессы кристаллизации.
