Разработка новых материалов на основе эпитаксиальных пленок соединений AB на кремниевых подложках для высокоэффективных преобразователей солнечной и тепловой энергии в электричество
Отработаны методы молекулярной эпитаксии многослойных полупроводниковых гетероструктур с толщиной слоев 1 нм - 10 мкм на основе соединений AB, в том числе на кремниевых подложках.