Исследованы радиационные дефекты в полупроводниковых структурах "кремния на изоляторе" (КНИ). Разработан технологический маршрут изготовления двухзатворных транзисторов на пластинах КНИ и элементов аналого-цифровой схемотехники. Изготовлены элементы аналого-цифровой схемотехники и двухзатворные транзисторы на структурах КНИ. Проведены ресурсные испытания транзисторов к действию космической радиации. Показана работоспособность приборов при температуре 150-300 {o}C и дозах радиации до 2 Мрад.