Проведен термодинамический анализ фазового равновесия в четверных системах Sn(Bi)-Al-GaP/GaP, (Sn)Bi-Al-Ga-As/GaAs и Sn-In-Ga-P/InP. Построены изотермические разрезы ликвидуса, солидуса и коэффициента сегрегации. Установлены общие закономерности фазовых равновесий, образования свободных наноразмерных подложек при жидкостной эпитаксии. Показана возможность прогнозирования отделяемого роста при кристаллизации из раствора-расплава. Разработаны методика и технологическая оснастка получения наноразмерных подложек AlAs и тонкопленочных гетероструктур AlAs/Al[x]Ga[1-x]As/GaAs.