Исследованы процессы формирования тыльных токосборных контактов, влияние режимов спекания на параметры тыльного контакта к кремниевому солнечному элементу. Получены спектры фотолюминесценции образцов пористого кремния. Построены зависимости комплексной диэлектрической проницаемости, показателей преломления и экстинкции от объемного соотношения компонент в системе Si-SiO[x]-SiO[2].