Исследованы структура колебаний генератора широкополосных сигналов в режиме малой инерционной нелинейности, мультифрактальные свойства турбулентности. Выявлена масштабно-инвариантная зависимость концентрации носителей заряда в полупроводниках от температуры и времени вблизи их критических значений.
