Определены технологические условия формирования полупроводниковых структур, устойчивых к спецвоздействию (до 1 Мрад) с повышенной (120 {o}С) температуроустойчивостью. Исследованы радиационные дефекты в КНИ-структурах и на границе раздела Si-SiO[2]. Разработан технологический маршрут изготовления двухзатворных транзисторов на пластинах КНИ. Проведены испытания транзисторов к действию космической радиации при моделировании наземными источниками ядерных излучений, показавшие работоспособность приборов при температуре до 150 {o}C и дозе радиации до 2 Мрад.