Объект исследования: люминесцентная релаксация автолокализованных экситонов (АЛЭ) в щелочно-галоидных кристаллах (ЩГК) при понижении симметрии решетки низкотемпературной одноосной деформацией. Выявлено перераспределение интенсивности люминесценции в пользу симметричной конфигурации АЛЭ в гранецентрированных ЩГК, в объемно-центрированных - в пользу асимметричной. Экспериментально оценена энергия активации температурного тушения люминесценции АЛЭ в ЩГК. Отмечена стабилизация подвижных атомов галогена путем образования V[к]-центра. Разработан высокочувствительный метод регистрации спектров люминесценции при оптической стимуляции в полосах поглощения электронных центров. Создана континуальная модель автолокализации электронных возбуждений в ЩГК при понижении симметрии одноосной деформацией. Изучены особенности автолокализации электронных возбуждений в квазиодномерных и двухмерных системах.