Осуществлена кристаллизация свободно расположенных легированных пленок AlGaAs и тонкопленочных гетероструктур GaAs/AlGaAs. Определены технологические режимы роста пленок и влияние условий кристаллизации на состав и варизонность. Исследованы зонная структура и люминесценция, построена энергетическая зонная диаграмма оптимизированной тонкопленочной структуры с барьером Шоттки. Изготовлены тонкопленочные детекторы СВЧ-диапазона.
