Объект исследования: пленки алмазоподобных конденсированных сред с неупорядоченной структурой на основе аморфного гидрогенизированного углерода (а-С:Н) и пленки низкокоординированных конденсированных сред с неупорядоченной структурой - халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) системы As-Se. Установлено, что термостимулированное воздействие на пленки а-С:Н приводит к существенному изменению их электронных свойств. С увеличением температуры осаждения пленок от 50 до 200 {o}С проводимость пленок снижается от 10 до 10{-13} Ом.см{-1}, энергия активации проводимости увеличивается от 0,16 до 0,91 эВ, оптическая ширина запрещенной зоны увеличивается от 0,3 до 2 эВ, показатель преломления уменьшается от 2,03 до 1,75. Изменение электронных свойств пленок при термостимулированном воздействии связано с изменением в аморфной матрице соотношения sp/sp координированных связей. Термо- и фотостимулированные воздействия вызывают реверсивные изменения электронных свойств пленок ХСП, обусловленные реверсивными изменениями атомной структуры и концентрации собственных заряженных дефектов структуры.