Разработка технологии изготовления гетеротранзисторов на основе аморфного и кристаллического кремния. Отработка технологических режимов изготовления базовых и эмиттерных областей гетеротранзисторов
Разработана методика моделирования влияния на кремниевые транзисторы радиационнотермических процессов. Рассчитаны параметры транзисторов в зависимости от геометрических размеров и профиля легирования базы. Описаны технологические операции по изготовлению гетеро- и варизонных транзисторов.
