Изучены свойства аморфного кремния при термической кристаллизации до нанокристаллического состояния. Осаждение пленок аморфного кремния осуществляется магнетронным распылением кремниевой мишени и разложением силана. Скорость роста пленок при магнетронном распылении при изменении тока от 5 до 50 мА меняется от 0,1 до 1,4 нм/с. Отжиг пленок проводят в вакууме при температуре 200-1000 {o}C. Изучена кинетика изменения оптических параметров пленок. В структуре аморфного кремния выявлена сильно связанная основная подрешетка и слабо связанная подрешетка дефектов. На величину оптической ширины запрещенной зоны оказывают влияние изменения в обеих подрешетках.