Исследована излучательная и безызлучательная релаксация собственных электронных возбуждений в щелочно-галоидных кристаллах (ЩГК) при понижении симметрии решетки низкотемпературной одноосной деформацией. Установлен механизм взаимодействия продуктов распада автолокализованных экситонов. Разработан высокочувствительный метод регистрации спектров люминесценции при оптической стимуляции в полосах поглощения электронных центров. Создана континуальная модель автолокализации электронных возбуждений в ЩГК.