Исследование влияния структурных фазовых превращений и релаксации диполей на электронные процессы и диэлектрические свойства кристаллов
Руководитель проекта: Т.А.Кукетаев
Исполнители проекта: Л.М.Ким
Организация: Караганд. гос. ун-т им. Е.А. Букетова
Инвентарный номер: 0206РК00496
Регистрационный номер: 0100РК00504
Ключевые слова: Фазовые переходы, Структурно-фазовые превращения, Кристаллы, Радиационные дефекты, Дефекты кристаллических структур, Диэлектрическая релаксация, Релаксация, Люминесценция,
Установлено, что радиационно-наведенная полоса поглощения в кристаллах K[2]SO[4], активированных ионами переходных металлов, связана с дефектом SO{-}[3], возмущенным примесным центром. В кристаллах K[2]SO[4], активированных ртутеподобными ионами Sn{2+} и Pb{2+}, образуются два типа примесных центров люминесценции, связанных с встраиванием активаторных ионов в неэквивалентные положения катиона калия. Выявлены закономерности влияния гетеровалентных примесных ионов на рекомбинационные процессы. В области фазового перехода при 180 К в кристаллах LiKSO[4], облученных рентгеновскими квантами, обнаружены рекомбинационные "термосцинтилляции". Полиморфный фазовый переход при 180 К существенно влияет на накопление светосуммы в высокотемпературных пиках. Предложен механизм образования радиационных дефектов. В процессах диэлектрической релаксации в сложных кристаллогидратах доминирует миграция протонов.
