Определены технологические условия формирования полупроводниковых структур "кремний на изоляторе", устойчивых к спецвоздействиям (до 1 Мрад) с повышенной (до 120 {o}С) температуроустойчивостью. Получены экспериментальные образцы структур "кремний на изоляторе", проведены испытания в нормальных условиях. Разработана эскизная технология изготовления транзисторов на структурах "кремний на изоляторе".