Новые полупроводниковые и сегнетоэлектрические материалы на основе оксида марганца (III)
Руководитель проекта: Б.К.Касенов, Е.С.Мустафин
Исполнители проекта: Ж.И.Сагинтаева
Организация: Ин-т фитохим.
Инвентарный номер: 0205РК00762
Регистрационный номер: 0103РК00172
Ключевые слова: Сегнетоэлектрики, Полупроводники, Теплоемкость, Манганиты, Фазовые переходы,
Твердофазным способом из оксидов Dy(III), Nd(III), Mn(III), карбонатов щелочных и щелочноземельных металлов синтезированы манганиты состава LnMeMeMn[2]O[6] (Ln - La, Dy, Nd; Me - щелочные, Me - щелочноземельные металлы). Определены типы сингонии, параметры элементарных ячеек манганитов. При температуре 298,15-673 К исследованы температурные зависимости теплоемкости манганитов. Выявлены: лямбда-образные пики, относящиеся к фазовым переходам II рода; температурная зависимость теплоемкости, диэлектрической проницаемости, электропроводности и термостимулированной люминесценции соединений.
