Объект исследования: p-n гетеропереходы на основе оксидных полупроводников p-SrCu[2]O[2]/n-ZnO. На основе спонтанной излучательной рекомбинации электронов и дырок построена модель рекомбинации в n-ZnO области гетероструктуры. Определены параметры энергетического распределения и хвостов плотности состояний в запрещенной зоне ZnO. Предложена модель разогрева плазмы. Рассчитан скачок валентной зоны, определяющий параметры разогрева.
